IGBT功率半导体器件测试难点

IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点;同时IGBT芯片属于电力电子芯片,需要工作在大电流、高电压、高频率的环境下,对芯片的可靠性要求较高。这给IGBT测试带来了一定的困难:


1、IGBT是多端口器件,需要多种仪表协同测试;2、IGBT的漏电流越小越好,需要高精度的设备进行测试;


3、IGBT的电流输出能力很强,测试时需要快速注入1000A级电流,并完成压降的采样;


4、lGBT耐压较高,一般从几千到一万伏不等,需要测量仪器具备高压输出和高压下nA级漏电流测试的能力;


5、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显，严重时容易造成器件烧毁,需要提供us级电流脉冲信号减少器件自加热效应;


6、输入输出电容对器件的开关性能影响很大,不同电压下器件等效结电容不同,C-V测试十分有必要。


普赛斯功率器件静态测试解决方案


普赛斯IGBT静态参数测试设备集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476


普赛斯功率器件静态测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。


“双高”系统优势


高电压、大电流


具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(蕞大可扩展至10kV)


具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)


高精度测量


nA级漏电流, μΩ级导通电阻


0.1%精度测量


模块化配置


可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元


测试效率高


内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元


支持国标全指标的一键测试


扩展性好


支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具


测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

IGBT静态参数测试设备认准普赛斯仪表咨询，详询一八一四零六六三四七六；PMST系列功率器件静态参数测试系统，是普赛斯仪表经过精心设计与打造的高精密电压/电流测试分析系统。该系统不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求，确保测量效率、一致性与可靠性的卓越表现。
此外，普赛斯仪表功率半导体静态参数测试解决方案还支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。同时，该方案还可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。从pA级、mV级高精度源表到kA级、10kV源表，普赛斯的产品解决了国内企业在半导体芯片以及第三代半导体芯片测试中的仪表国产化问题，并在客户IGBT产线上推出了多条测试示范线，引领了国内IGBT测试的技术潮流。