半导体参数分析仪iv+cv曲线仪优势：

IV、CV一键测；一体机，支持远程指令控制；支持三同轴接探针台

能够覆盖从材料、晶圆、器件到模块的测试；详询18140663476

概述：

SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。

基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。

产品特点：

30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力；

测量精度高,全量程下可达0.03%精度；

内置标准器件测试程序，直接调用测试简便；

自动实时参数提取，数据绘图、分析函数；

在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线；

提供灵活的夹具定制方案，兼容性强；

免费提供上位机软件及SCPI指令集；

典型应用：

纳米、柔性等材料特性分析；

二极管；

MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；

第三代半导体材料/器件；

有机OFET器件；

LED、OLED、光电器件；

半导体电阻式等传感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；

电阻率系数和霍尔效应测量；

太阳能电池；

非易失性存储设备；

失效分析；

目前，武汉普赛斯仪表有限公司的产品已经覆盖了10pA-6000A、300mV-10KV的电压电流范围，并在多个领域展现出绝对优势。特别是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半导体的电源及测试需求方面，我司在3500V、1000A以上量程及测试性能均处于绝对优势地位。此外，在大功率激光器测试、PD、APD、SPAD、SIPM晶圆测试及老化电源市场，普赛斯仪表的产品也能够满足绝大多数应用场景的需求。详询一八一四零六六三四七六；

普赛斯电流源源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案；电流源源表认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；

产品特点
5寸800*480触摸显示屏，全图形化操作
内置强大的功能软件，加速用户完成测试，如LIV、PIV
源及测量的准确度为0.03%
四象限工作（源和肼），源及测量范围：高至300V，低至3pA
丰富的扫描模式，支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描
支持USB存储，一键导出测试报告
支持多种通讯方式，RS-232、GPIB及以太网

技术参数
Z大输出功率：30W，4象限源或肼模式；
源限度：电压源：±10V（≤3A量程），±30V（≤1A量程），±300V（≤100mA量程）；
电流源：±3.15A（≤10V量程），±1.05A（≤30V量程），±105mA（≤300V量程）；
过量程： 105%量程，源和测量；
稳定负载电容：

功率器件测试设备认准武汉生产厂家普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于广泛应用于半导体测试行业； 本功率器件静态参数测试系统可以完成多项参数测试，如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。

IGBT静态参数测试系统简介
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法 灵活，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。

系统组成

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件，以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外，测试主机可与探针台搭配使用，实现晶圆级芯片测试；也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。

测试主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，最大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至pA级漏电流；集电极-发射极，最大支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能；最高支持3500V电压输出，且自带漏电流测量功能。电容特性测试，包括输入电容，输出电容，以及反向传输电容测试，频率最高支持1MHz。

系统特点

高电压：支持高达3.5KV高电压测试（Z大扩展至10kV）；
大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；
高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试；
丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；
数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；
模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；
可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；
可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发

IGBT功率半导体器件测试难点

IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点;同时IGBT芯片属于电力电子芯片,需要工作在大电流、高电压、高频率的环境下,对芯片的可靠性要求较高。这给IGBT测试带来了一定的困难:


1、IGBT是多端口器件,需要多种仪表协同测试;2、IGBT的漏电流越小越好,需要高精度的设备进行测试;


3、IGBT的电流输出能力很强,测试时需要快速注入1000A级电流,并完成压降的采样;


4、lGBT耐压较高,一般从几千到一万伏不等,需要测量仪器具备高压输出和高压下nA级漏电流测试的能力;


5、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显，严重时容易造成器件烧毁,需要提供us级电流脉冲信号减少器件自加热效应;


6、输入输出电容对器件的开关性能影响很大,不同电压下器件等效结电容不同,C-V测试十分有必要。


普赛斯功率器件静态测试解决方案


普赛斯IGBT静态参数测试设备集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476


普赛斯功率器件静态测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。


“双高”系统优势


高电压、大电流


具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(蕞大可扩展至10kV)


具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)


高精度测量


nA级漏电流, μΩ级导通电阻


0.1%精度测量


模块化配置


可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元


测试效率高


内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元


支持国标全指标的一键测试


扩展性好


支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具


测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

IGBT静态参数测试设备认准普赛斯仪表咨询，详询一八一四零六六三四七六；PMST系列功率器件静态参数测试系统，是普赛斯仪表经过精心设计与打造的高精密电压/电流测试分析系统。该系统不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求，确保测量效率、一致性与可靠性的卓越表现。
此外，普赛斯仪表功率半导体静态参数测试解决方案还支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。同时，该方案还可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。从pA级、mV级高精度源表到kA级、10kV源表，普赛斯的产品解决了国内企业在半导体芯片以及第三代半导体芯片测试中的仪表国产化问题，并在客户IGBT产线上推出了多条测试示范线，引领了国内IGBT测试的技术潮流。

双极性电源数字源表@国产源表找普赛斯仪表，普赛斯数字源表国产自主研发，对标美国2400，B2901；可实现“源”的输出和“表”的测量同步进行，提高测试效率；支持四象限工作，测量范围广，电压高至300V，电流低至10pA；支持USB存储，一键导出数据报告；5寸触摸显示屏图形化操作，内置强大的功能软件，加速用户完成测试；支持多种通讯方式，RS-232、GPIB及以太网；详情请联系普赛斯仪表销售专员为您解答一八一四零六六三四七六

普赛斯源表功能：精确提供四象限电压或电流，并同步测量电流和电压；可以实现电源、万用表、电子负载、电源/测量组合功能；

用途：精确提供和测量电压和/或电流，广泛应用于各种电器特性参数测试中，如IV扫描；

普赛斯源表优势：四象限工作，源和负载；电压及电流范围广，最小电流分辨率10pA，电流±100pA～±3A，电压±300mV～±300V，准确度为0.03；5寸触摸显示屏图形化操作，内置强大的功能软件，加速用户完成测试；支持多种通讯方式，RS-232、GPIB及以太网；

额外功能（软件实现的）：二极管IV扫描及参数分析、三极管IV扫描及参数分析、LIV测试系统、太阳能电池放电测试系统、电池充放电循环系统等；

普赛斯源表应用领域：分立半导体器件特性测试，电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SIC等；能量与效率特性测试，LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等；传感器特性测试，电阻率、霍尔效应等；有机材料特性测试，电子墨水、印刷电子技术等；纳米材料特性测试，石墨烯、纳米线等；

普赛斯源表应用方案：二极管IV测试、激光二极管LIV测试、三极管MOS管IV测试、APD管IV测试、太阳能电池板特性参数测试、电池充放电特性参数测试、电化学循环伏安测试、气敏电阻多通道测试；

普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家，产品已经历3年迭代完善，对标2400、2450、2611、2601B、2651、2657等；详询一八一四零六六三四七六；

HCPL100型传感器响应时间测试大电流源为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（15us）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。

设备可广泛应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设备可以独立完成“电流-导通电压”扫描测试。详询18140663476

产品特点

50μs-500μs的脉冲宽度连续可调

15μs超快上升沿（典型时间）

两路同步测量电压0.3mV-18V

0.1%测试精度

单台5A-1000A程控输出，可多台并联最高达6000A

支持过流保护、异常开路保护

可快速测试IGBT或SiC的单管及半桥

可适用于大电流传感器（阶跃）响应时间测试

应用领域

肖特基二极管

整流桥堆

IGBT器件

IGBT半桥模块

IPM模块

E系列功率器件功能高压测试模块具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。详询18140663476

应用领域：

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

部分技术参数
最大输出功率：350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；

输出电压建立时间典型值：< 5ms；

输出接口：E100:三同轴BNC；E200、E300:KHV（三同轴）；

扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；

通信接口：RS232、以太网；

保护：支持急停、​高压互锁保护；

触发：支持trig IN及trig out；

尺寸：19英寸2U机箱，深度：520mm(不包含挂耳及急停按钮)

HCP高精度直流大电流源30A数字源表具备直流和脉冲输出能力，蕞大脉冲输出电流100A，蕞大输出电压100V，蕞大直流功率300W，蕞大脉冲功率5000W，支持四象限工作，输出及测量精度均可达0.1%，可广泛应用于功率MOS测试、肖特基二极管测试、整流桥堆测试以及太阳能电池模组测试等。详询18140663476

产品特点

1、四象限源/阱模式

四象限工作模式，作为电压源和或电流源，并同步测量电流和或电压。第一、三象限即电压电流同向，源表对其它设备供电，称为源模式；第二、四象限即电压电流反向，其它设备对源表放电，源表被动吸收流入的电流，且可为电流提供返回路径，称为阱模式。还可以限定电压或电流输出大小，预防器件损坏。

2、直流和脉冲输出，100V/100A宽量程测试

可输出或吸入电压高达±100V 、电流30A（直流）/100A（脉冲），蕞大直流功率300W，蕞大脉冲功率5000W。

3、多功能一体，高灵活性

HCP系列高精密SMU组合了恒压源、恒流源、伏特计、安培计、欧姆表、精密电子负载、脉冲发生器等功能，可进行自动电流-电压（I-V）特性分析。

4、高速脉冲输出和测量

HCP系列蕞小可编程脉冲宽度80μs ，脉冲可编程分辨率1μs ，脉冲编程精度±5μs，可将测试期间的自热效应影响降至蕞低，具有更高的控制灵活性。单台仪器可出输出高达100A脉冲电流，可多台并联。

5、可视化操作，标准化测试

既可作为台式 I-V 特性分析工具，又可作为多通道 I-V 测试系统的组成部分。I/O接口及触发,蕞大电压5V,支持外部触发，触发极性可配置；利用USB 存储装置实现更大的数据和程序存储空间。配置PssSMUTools专用上位机软件，无需编程即可快速、简单的执行测试。

产品应用

纳米材料特性测试--石墨烯、纳米线

分立半导体器件特性测试--电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SIC等

太阳能电池模组相关

能量与效率特性测试--LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器

传感器特性测试--电阻率、霍尔效应

有机材料特性测试--电子墨水、印刷电子技术

目前，武汉普赛斯仪表有限公司的产品已经覆盖了10pA-6000A、300mV-10KV的电压电流范围，并在多个领域展现出绝对优势。特别是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半导体的电源及测试需求方面，我司在3500V、1000A以上量程及测试性能均处于绝对优势地位。此外，在大功率激光器测试、PD、APD、SPAD、SIPM晶圆测试及老化电源市场，普赛斯仪表的产品也能够满足绝大多数应用场景的需求。
联系我们：

单位名称：武汉普赛斯仪表有限公司


网站：http://www.whpssins.com


单位地址： 武汉市东湖技术开发区光谷三路777号6号保税物流园6号楼4楼402室


联系人：陶女士


联系电话：18140663476/027-87993690

工作QQ：1993323884


邮箱：taof@whprecise.com

普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案；高精度台式数字源表-微电流源认准普赛斯仪表，详询18140663476

产品特点
5寸800*480触摸显示屏，全图形化操作

内置强大的功能软件，加速用户完成测试，如LIV、PIV

源及测量的准确度为0.03%

四象限工作（源和肼），源及测量范围：高至300V，低至3pA

丰富的扫描模式，支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描

支持USB存储，一键导出测试报告

支持多种通讯方式，RS-232、GPIB及以太网

技术参数

源限度-电压源：±10V（≤3A量程），±30V（≤1A量程），±300V（≤100mA量程）；

源限度-电流源：±3A（≤10V量程），±1A（≤30V量程），±100mA（≤300V量程）；

过量程： 105%量程，源和测量；

稳定负载电容：

普赛斯SiC GaN三代半功率器件测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476

普赛斯功率器件静态测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。


“双高”系统优势


高电压、大电流


具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(蕞大可扩展至10kV)


具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)


高精度测量


nA级漏电流, μΩ级导通电阻


0.1%精度测量


模块化配置


可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元


测试效率高


内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元


支持国标全指标的一键测试


扩展性好


支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具


测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！

联系我们：

单位名称：武汉普赛斯仪表有限公司


网站：http://www.whpssins.com


单位地址： 武汉市东湖技术开发区光谷三路777号6号保税物流园6号楼4楼402室


联系人：陶女士


联系电话：18140663476/027-87993690

工作QQ：1993323884


邮箱：taof@whprecise.com